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参数资料
| 型号： | ZXMHC10A07T8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A，800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 138pF @ 60V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装： | SM8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMHC10A07T8DKR |
ZXMHC10A07T8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @ V GS =10V; T A =25°C (b) (d)
@ V GS =10V; T A =70°C (b) (d)
@ V GS =10V; T A =25°C (a) (d)
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
N-channel
100
20
1.1
0.9
1.0
P-channel
-100
20
-0.9
-0.8
-0.8
UNIT
V
V
A
A
A
Pulsed Drain Current
(c)
I DM
5.2
-4.5
A
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode) (c)
Power Dissipation at T A =25°C (a) (d)
Linear Derating Factor
I S
I SM
P D
2.3
5.2
1.3
10.4
-2.2
-4.5
A
A
W
mW/°C
Power Dissipation at T A =25°C
Linear Derating Factor
(b) (d)
P D
1.3
10.4
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T j , T stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient
(a) (d)
R JA
94.5
°C/W
Junction to Ambient (b) (d)
R JA
73.3
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions, with
the heat sink split into two equal areas one for each drain connection.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB, D= 0.02, pulse width = 300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
Refer to transiennt thermal impedance graph.
(d) For device with one active die.
ISSUE 2 - JUNE 2005
SEMICONDUCTORS
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMHC10A07T8TC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC3A01N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge |
| ZXMHC3A01N8TC | 功能描述:MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMHC3A01T8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE |
| ZXMHC3A01T8TA | 功能描述:MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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