- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录540 > ZXMN20B28KTC (Diodes Inc)MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN20B28KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 358pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMN20B28KTCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN20B28K
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
200
?
?
?
?
?
?
500
± 100
V
nA
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 200V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 8)
Forward Transconductance (Notes 8 & 9)
Diode Forward Voltage (Note 8)
Reverse recovery time (Note 9)
Reverse recovery charge (Note 9)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
1
?
?
?
?
?
1.6
0.650
0.670
6.13
0.860
177
1.4
2.5
0.750
0.780
?
0.950
?
?
V
?
S
V
ns
μ C
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 2.75A
V GS = 5V, I D = 2.75A
V DS = 30V, I D = 2.75A
I S = 5.5A, V GS = 0V
I S = 6.5A, V GS = 0V,
di/dt = 100A/ μ s
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 9)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time (Note 10)
Turn-On Rise Time (Note 10)
Turn-Off Delay Time (Note 10)
Turn-Off Fall Time (Note 10)
C iss
C oss
C rss
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
358
50
6.1
8.1
1.4
3.9
17.8
76.9
44.7
57.1
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 0V
f = 1MHz
V DS = 120V, V GS = 5V
I D = 6.5A
V DD = 100V, V GS = 5V
I D = 6.5A, R G ? 25 Ω
Notes:
8. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
9. For design aid only, not subject to production testing.
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
ZXMN20B28K
Document Number DS31984 Rev. 2 - 2
4 of 8
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
| ZXMN2A01FTC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| ZXMN2A02N8TA | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
| ZXMN2A02X8TC | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP |
| ZXMN2A03E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXMN2A01E6_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6TA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A01E6TC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。