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参数资料
| 型号： | ZXMN20B28KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 358pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMN20B28KTCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN20B28K
Typical Characteristics - continued
10
800
V GS = 0V
f = 1MHz
8
600
400
C ISS
6
4
200
C RSS
C OSS
2
V DS = 120V
I D = 6.5A
0
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
Q G
regulator
12V
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
V DS
Basic gate charge waveform
Gate charge test circuit
90%
10%
V GS
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t d(on)
t (on)
t r
t d(off)
t (on)
t r
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXMN20B28K
Document Number DS31984 Rev. 2 - 2
6 of 8
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
| ZXMN2A01FTC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| ZXMN2A02N8TA | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
| ZXMN2A02X8TC | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP |
| ZXMN2A03E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXMN2A01E6_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6TA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A01E6TC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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