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参数资料
| 型号： | ZXMN20B28KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 358pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMN20B28KTCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN20B28K
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
3.5V
10
T = 150°C
10V
3V
3V
2.5V
1
0.1
2.5V
2V
1
0.1
2V
V GS
0.01
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS
0.01
1.5V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
V DS = 10V
T = 150°C
T = 25°C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
I D = 2.75A
R DS(on)
V GS = V DS
I D = 250uA
0.8
0.1
0.6
0.4
V GS(th)
2
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
3
-50 0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
150
10
2V
2.5V
T = 25°C
10
3V
1
T = 150°C
3.5V
0.1
T = 25°C
1
10V
V GS
0.01
Vgs = 0V
0.01 0.1 1
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
10
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0
ZXMN20B28K
Document Number DS31984 Rev. 2 - 2
5 of 8
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
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| ZXMN2A03E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXMN2A01E6_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6TA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A01E6TC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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