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参数资料
| 型号： | ZXMN20B28KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 358pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXMN20B28KTCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN20B28K
Package Outline Dimensions
DIM
Inches
Millimeters
DIM
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
A
0.086
0.094
2.18
2.39
e
0.090 BSC
2.29 BSC
A1
b
-
0.020
0.005
0.035
-
0.508
0.127
0.89
H
L
0.370
0.055
0.410
0.070
9.40
1.40
10.41
1.78
b2
b3
0.030
0.205
0.045
0.215
0.762
5.21
1.14
5.46
L1
L2
0.108 REF
0.020 BSC
2.74 REF
0.508 BSC
c
c2
D
D1
E
E1
0.018
0.018
0.213
0.205
0.250
0.170
0.024
0.023
0.245
-
0.265
-
0.457
0.457
5.41
5.21
6.35
4.32
0.61
0.584
6.22
-
6.73
-
L3
L4
L5
θ 1°
θ °
-
0.035
0.025
0.045
0°
0°
-
0.065
0.040
0.060
10°
15°
-
0.89
0.635
1.14
0°
0°
-
1.65
1.016
1.52
10°
15°
-
ZXMN20B28K
Document Number DS31984 Rev. 2 - 2
7 of 8
www.diodes.com
October 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
| ZXMN2A01FTC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| ZXMN2A02N8TA | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
| ZXMN2A02X8TC | MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP |
| ZXMN2A03E6TC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN2A01 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23-6 |
| ZXMN2A01E6_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN2A01E6TA | 功能描述:MOSFET 20V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN2A01E6TC | 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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