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参数资料
| 型号： | ZXMN2A03E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 7.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 837pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN2A03E6
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
T = 25°C
7V
3V
2.5V
10
T = 150°C
7V
3V
2.5V
2V
2V
1
V GS
1
1.5V
0.1
1.5V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.1
1.6
V GS
1V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
T = 150°C
1.4
1.2
V GS = 4.5V
I D = 7.2A
R DS(on)
1
T = 25°C
1.0
0.8
V GS(th)
0.1
1
2
V DS = 10V
3
0.6
0.4
-50
0
V GS = V DS
I D = 250uA
50
100
150
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
10
1
0.1
1.5V
V GS
2V
T = 25°C
2.5V
3V
7V
10
1
T = 150°C
T = 25°C
0.1
1 10
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ISSUE 4 - SEPTEMBER 2005
5
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PDF描述 |
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