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参数资料
| 型号： | ZXMN3A03E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3A03E6
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-source voltage
Gate source voltage
Continuous drain current V GS =10V; T A =25°C (b)
V GS =10V; T A =70°C (b)
V GS =10V; T A =25°C (a)
Pulsed drain current (c)
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
I DM
LIMIT
30
20
4.6
3.7
3.7
17
UNIT
V
V
A
A
Continuous source current (body diode)
Pulsed source current (body diode) (c)
(b)
I S
I SM
2.6
17
A
A
Power dissipation at T A =25°C
Linear derating factor
(a)
P D
1.1
8.8
W
mW/°C
Power dissipation at T A =25°C (b)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
P D
T j :T stg
1.7
13.6
-55 to +150
W
mW/°C
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to ambient
Junction to ambient
(a)
(b)
R θ JA
R θ JA
113
73
°C/W
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t 10 secs.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D = 0.05, pulse width 10 s - pulse width limited by maximum junction temperature. Refer to
Transient Thermal Impedance graph.
ISSUE 3 - OCTOBER 2005
SEMICONDUCTORS
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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