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参数资料
| 型号： | ZXMN3A03E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3A03E6
TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 3 - OCTOBER 2005
5
SEMICONDUCTORS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3A04DN8TC | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
| ZXMN3A04KTC | MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK |
| ZXMN3A06DN8TC | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
| ZXMN3A14FTA | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 |
| ZXMN3AM832TA | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3A04DN8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL N SO-8 |
| ZXMN3A04DN8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N DUAL SO-8 |
| ZXMN3A04DN8_02 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN3A04DN8TA | 功能描述:MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A04DN8TC | 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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