- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录540 > ZXMN3A06DN8TC (Diodes Inc)MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN3A06DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 796pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN3A06DN8
TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 2 - OCTOBER 2002
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3A14FTA | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 |
| ZXMN3AM832TA | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP |
| ZXMN3AMCTA | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN |
| ZXMN3B01FTA | MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3 |
| ZXMN3B04N8TC | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3A06N8TA | 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A14F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| ZXMN3A14FTA | 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3A14FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 |
| ZXMN3A14FTC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。