- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录540 > ZXMN4A06KTC (Diodes Inc)MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN4A06KTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK |
| 其它图纸： | D-PAK D-PAK Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 827pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN4A06KDKR |
ZXMN4A06K
Electrical characteristics (at T A = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Static
Drain-source breakdown
V (BR)DSS
40
V
I D =250 A, V GS =0V
voltage
Zero gate voltage drain current I DSS
1
A
V DS =40V, V GS =0V
Gate-body leakage
I GSS
100
nA
V GS =±20V, V DS =0V
Gate-source threshold voltage V GS(th)
1.0
V
I D =250 A, V DS = V GS
Static drain-source on-state
resistance (*)
R DS(on)
0.050
0.075
V GS =10V, I D =4.5A
V GS =4.5V, I D =3.2A
Forward transconductance (?)
g fs
11.5
S
V DS =15V,I D =4.5A
Dynamic (?)
Input capacitance
C iss
827
pF
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
C oss
C rss
133
84
pF
pF
V DS =20 V, V GS =0V,
f=1MHz
Switching (?) (?)
Turn-on delay time
t d(on)
3.2
ns
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
3.8
23.3
10.9
17.1
2.41
3.4
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DD =20V, I D =1A
R G = 6.0 , V GS =10V
(refer to test circuit)
V DS =20V,V GS =10V,
I D =4.5A
(refer to test circuit)
Source-drain diode
Diode forward voltage (*)
V SD
0.83
0.95
V
T J =25°C, I S =4.5A,
V GS =0V
Reverse recovery time (?)
Reverse recovery charge (?)
t rr
Q rr
16
9
ns
nC
T J =25°C, I F =4A,
di/dt= 100A/ s
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Width
300 s. Duty cycle
2%.
(?) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(?) For design aid only, not subject to production testing.
Issue 1 - March 2006
? Zetex Semiconductors plc 2005
4
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A07FTC | MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 |
| ZXMN6A07ZTA | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 |
| ZXMN6A08E6TC | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| ZXMN6A08GTA | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
| ZXMN6A08KTC | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A07F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet |
| ZXMN6A07F_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfet |
| ZXMN6A07FTA | 功能描述:MOSFET 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A07FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 |
| ZXMN6A07FTC | 功能描述:MOSFET 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。