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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A08GDKR |
ZXMN6A08G
60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
0.080 @ VGS = 10V
0.150 @ VGS = 4.5V
I D (A)
5.3
2.8
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique
structure combining the benefits of low on-resistance and fast
switching, making it ideal for high efficiency power management
applications.
Features
D
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
?
?
?
Low threshold
Low gate drive
SOT223 package
G
S
Applications
?
DC-DC converters
?
?
Power management functions
Disconnect switches
S
?
Motor control
D
D
Ordering information
G
Device
ZXMN6A08GTA
ZXMN6A08GTC
Reel size
(inches)
7
13
Tape width
(mm)
12
12
Quantity per
reel
1,000
4,000
Pinout - top view
Device marking
ZXMN
6A08
Issue 1 - May 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08KTC | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK |
| ZXMN6A09DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC |
| ZXMN6A09GTA | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
| ZXMN6A11DN8TC | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC |
| ZXMN6A11ZTA | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A08GTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A08K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A08KTC | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A09DN8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET DUAL N SO-8 |
| ZXMN6A09DN8(1) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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