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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A08GDKR |
ZXMN6A08G
Electrical characteristics (at T amb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Static
Drain-source breakdown
V (BR)DSS
60
V
I D = 250 A, V GS =0V
voltage
Zero gate voltage drain
I DSS
0.5
A
V DS = 60V, V GS =0V
current
Gate-body leakage
Gate-source threshold
I GSS
V GS(th)
1
100
nA
V
V GS =±20V, V DS =0V
I D = 250 A, V DS =V GS
voltage
Static drain-source on-state
resistance (*)
R DS(on)
0.080
0.150
V GS = 10V, I D = 4.8A
V GS = 4.5V, I D = 4.2A
Forward transconductance
(*) (?)
g fs
6.6
S
V DS = 15V, I D = 4.8A
Dynamic (?)
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
C iss
C oss
C rss
459
44.2
24.1
pF
pF
pF
V DS = 40V, V GS =0V
f=1MHz
Switching (?) (?)
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Gate charge
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
2.6
2.1
12.3
4.6
4.0
ns
ns
ns
ns
nC
V DD = 30V, I D = 1.5A
R G ? 6.0 , V GS = 10V
V DS = 30V, V GS = 5V
I D = 1.4A
Total gate charge
Gate-source charge
Gate drain charge
Q g
Q gs
Q gd
5.8
1.4
1.9
nC
nC
nC
V DS = 30V, V GS = 10V
I D = 1.4A
Source-drain diode
Diode forward voltage (*)
V SD
0.88
1.2
V
T j =25°C, I S = 4A,
V GS =0V
Reverse recovery time (?)
Reverse recovery charge (?)
t rr
Q rr
19.2
30.3
ns
nC
Tj=25°C, I S = 1.4A,
di/dt=100A/ s
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
(?) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(?) For design aid only, not subject to production testing.
Issue 1 - May 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
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参数描述 |
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