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参数资料
| 型号： | ZXMN6A08GTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 459pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A08GDKR |
ZXMN6A08G
Absolute maximum ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GS
Limit
60
± 20
Unit
V
V
Continuous drain current
@ V GS = 10V; T amb = 25°C (b)
I D
5.3
A
@ V GS = 10V; T amb = 70°C (b)
@ V GS = 10V; T amb = 25°C (a)
4.2
3.8
Pulsed drain current (c)
Continuous source current (body diode) (b)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T amb = 25°C (a)
Linear derating factor
Power dissipation at T amb = 25°C (b)
Linear derating factor
Operating and storage temperature range
I DM
I S
I SM
P D
P D
T j , T stg
20
2.1
20
2
16
3.9
31
-55 to +150
A
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Junction to ambient (a)
Junction to ambient (b)
Symbol
R JA
R JA
Limit
62.5
32
Unit
°C/W
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air
conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating - 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction
temperature.
Issue 1 - May 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
2
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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