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参数资料
| 型号： | ZXMN6A11ZTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A11ZDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN6A11Z
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V 5V
10
T = 150°C
10V 5V
4V
4V
3.5V
3.5V
1
0.1
10
1
3V
V GS
2.5V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V DS = 10V
T = 150°C
1
0.1
1.8
1.6
1.4
1.2
3V
2.5V
V GS
2V
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 10V
I D = 2.5A
R DS(on)
1.0
T = 25°C
0.8
V GS(th)
0.1
2
3 4
V GS Gate-Source Voltage (V)
5
0.6
0.4
-50
V GS = V DS
I D = 250uA
0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
150
1
Typical Transfer Characteristics
Normalised Curves v Temperature
3V
3.5V
4V
4.5V
10
V GS
5V
10V
1
T = 150°C
0.1
T = 25°C
0.1
T = 25°C
1
I D Drain Current (A)
10
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD Source-Drain Voltage (V)
1.2
On-Resistance v Drain Current
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMN6A11Z
Document number DS33557 Rev. 4 - 2
4 of 7
www.diodes.com
December 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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