- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录541 > ZXMN6A11ZTA (Diodes Inc)MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMN6A11ZTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | SOT-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A11ZDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN6A11Z
Package Outline Dimensions
D1
R0
.2
00
C
SOT89
Dim Min
Max
A
B
1.40 1.60
0.44 0.62
E
B
L
H
B1
C
D
D1
0.35 0.54
0.35 0.43
4.40 4.60
1.52 1.83
B1
e1
e
E
e
2.29 2.60
1.50 Typ
8°
(4 X
)
e1
3.00 Typ
H
3.94 4.25
A
L
0.89 1.20
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
X1
Dimensions Value (in mm)
X2 (2x)
Y 1
X
X1
X2
0.900
1.733
0.416
Y3
Y
Y2
Y4
Y
Y1
Y2
Y3
1.300
4.600
1.475
0.950
X (3x)
ZXMN6A11Z
Document number DS33557 Rev. 4 - 2
C
6 of 7
www.diodes.com
Y4
C
1.125
1.500
December 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
| ZXMN6A25G | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
| ZXMN6A25K | MOSFET N-CHAN 60V DPAK |
| ZXMN7A11GTA | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 |
| ZXMN7A11KTC | MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A25DN8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N DUAL SO-8 |
| ZXMN6A25DN8(1) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
| ZXMN6A25DN8_06 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:Dual 60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A25DN8TA | 功能描述:MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。