- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录541 > ZXMP10A17E6TA (Diodes Inc)MOSFET P-CH TRENCH -100V SOT23-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ZXMP10A17E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH TRENCH -100V SOT23-6 |
| 其它图纸： | SOT-23-6 Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 424pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP10A17E6DKR |
ZXMP10A17E6
ZXMP10A17E6
Document Number DS32027 Rev. 6 - 2
4 of 7
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP10A18GTA | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 |
| ZXMP10A18K | MOSFET P-CHAN 100V DPAK |
| ZXMP2120E5TA | MOSFET P-CH 200V 122MA SOT23-5 |
| ZXMP2120FFTA | MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 |
| ZXMP2120G4TA | MOSFET P-CH 200V 200MA SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMP10A17E6TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A17G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A17GTA | 功能描述:MOSFET 100V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMP10A17K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP10A17KTC | 功能描述:MOSFET 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。