参数资料
型号: ZXMP6A13FTA
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
其它图纸: SOT-23
SOT-23 Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 900mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫欧 @ 900mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 219pF @ 30V
功率 - 最大: 625mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ZXMP6A13FDKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A13F
Thermal Characteristics
10
1
R DS(on)
Limited
DC
0.7
0.6
0.5
0.4
100m
1s
100ms
10ms
0.3
0.2
10m
Single Pulse
T amb =25°C
1ms
100μs
0.1
1
10
100
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
Temperature (°C)
Derating Curve
200
150
T amb =25°C
10
Single Pulse
T amb =25°C
D=0.5
100
Single Pulse
50
D=0.2
D=0.05
1
D=0.1
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
ZXMP6A13F
Document Number DS32014 Rev. 6 - 2
3 of 8
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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