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参数资料
| 型号： | ZXMP6A13FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 219pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP6A13FDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A13F
Typical Characteristics - continued
10
300
V GS = 0V
200
C ISS
f = 1MHz
8
6
100
C OSS
4
C RSS
2
V DS = -30V
I D = -0.9A
0
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Test Circuits
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
ZXMP6A13F
Document Number DS32014 Rev. 6 - 2
6 of 8
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP6A13GTA | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 |
| ZXMP6A16DN8TA | MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8-SOIC |
| ZXMP6A16KTC | MOSFET P-CH 60V DPAK |
| ZXMP6A17DN8TA | MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC |
| ZXMP6A17E6TA | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMP6A13FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMP6A13F Series 60 V 0.4 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23 |
| ZXMP6A13FTC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A13G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A13G_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A13GTA | 功能描述:MOSFET 60V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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