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参数资料
| 型号： | ZXMP6A13FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 219pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP6A13FDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A13F
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
4.5V
10
T = 150°C
10V
5V
4.5V
3.5V
3.5V
1
3V
2.5V
1
3V
2.5V
2V
0.1
2V
-V GS
0.1
0.01
1.5V
-V GS
0.1
1
10
0.1
1
10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.8
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
-V DS = 10V
T = 150°C
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = -10V
I D = -0.9A
R DS(on)
V GS = V DS
0.1
T = 25°C
0.8
V GS(th)
I D = -250uA
0.6
1
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
1.5V
-V GS
2V
2.5V
3V
T = 25°C
10
3.5V
T = 150°C
1
4V 5V
7V
10V
1
0.1
T = 25°C
0.1
1
-I D Drain Current (A)
10
0.01
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-V SD Source-Drain Voltage (V)
On-Resistance v Drain Current
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMP6A13F
Document Number DS32014 Rev. 6 - 2
5 of 8
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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