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参数资料
| 型号： | ZXMP6A13FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 900mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 219pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMP6A13FDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A13F
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
α
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
ZXMP6A13F
Document Number DS32014 Rev. 6 - 2
X
E
C
7 of 8
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMP6A13GTA | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 |
| ZXMP6A16DN8TA | MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8-SOIC |
| ZXMP6A16KTC | MOSFET P-CH 60V DPAK |
| ZXMP6A17DN8TA | MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC |
| ZXMP6A17E6TA | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMP6A13FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXMP6A13F Series 60 V 0.4 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23 |
| ZXMP6A13FTC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A13G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A13G_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP6A13GTA | 功能描述:MOSFET 60V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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