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参数资料
| 型号： | 2N7002K-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 380mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 370mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2N7002K-7-DIDKR |
2N7002K
0
T CH , CHANNEL TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Channel Temperature
1
R DS(on)
1
10
9
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
Limited
8
Single Pulse
R ? JA = 240 ? C/W
T J A = P * R ? JA(t)
0.1
0.01
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
7
6
5
4
3
R ? JA(t) = r (t) * R ? JA
-T
P W = 10 μ s
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
2
1
0.001
0.1
1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Safe Operation Area
100
0
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
2N7002K
Document number: DS30896 Rev. 14 - 2
4 of 6
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N7002KT3G | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002K-7-01 | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SOT-23 (LEADFREE) |
| 2N7002K-7-31 | 制造商:DIODES 功能描述:N-N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SOT-23 (LEADFREE) |
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| 2N7002K-7-99-F | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SOT-23 (LEADFREE) FOR AUTOMOTIVE |
| 2N7002K-7-F | 制造商:DIODES 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SOT-23 (LEADFREE) |
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