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参数资料
| 型号： | 2N7614M1 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.8 A, 250 V, 1.1 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-036AB |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-14 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | 2N7614M1 |
IRHLG77214, 2N7614M1
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11. Typical Source-to-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 12. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
0.2 0.4 0.6
0.8 1.0
1.2 1.4
1.6
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
I S
D
,
R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
1200
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHz
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
4
8
12
16
20
QG, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS = 200V
VDS = 125V
VDS = 50V
ID = 0.8A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 17
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
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