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参数资料
| 型号： | 2PD601AR/T4 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SC-59A, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 2PD601AR/T4 |
2004 Feb 12
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN general purpose transistors; 50 V,
100 mA
2PD601A series
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
IE = 0; VCB = 60 V
10
nA
IE = 0; VCB = 60 V; Tj = 150 °C
5
μA
IEBO
emitter-base cut-off current
IC = 0; VEB = 5 V
10
nA
hFE
DC current gain
90
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 10 V
group Q
160
260
group R
210
340
group S
290
460
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
250
mV
Cc
collector capacitance
IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
3
pF
fT
transition frequency
IC = 2 mA; VCE = 10 V;
f = 100 MHz
100
MHz
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