- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31625 > 2PD601AR/T4 (NXP SEMICONDUCTORS) 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2PD601AR/T4 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, SC-59A, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 2PD601AR/T4 |
2004 Feb 12
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN general purpose transistors; 50 V,
100 mA
2PD601A series
PACKAGE OUTLINES
UNIT
A1
bp
cD
E
e1
HE
Lp
Qw
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.50
0.35
0.26
0.10
3.1
2.7
1.7
1.3
0.95
e
1.9
3.0
2.5
0.33
0.23
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.6
0.2
SOT346
TO-236
SC-59A
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w M
v M A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.3
1.0
0.1
0.013
c
X
12
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT346
04-11-11
06-03-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1009-AZ | 2 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1009A-K | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1009A-M | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1009A-H | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1009A-J-AZ | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PD601ARW | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN General Purpose Transistor |
| 2PD601ARW T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601ARW,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601AS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
| 2PD601AS T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。