- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33325 > 2SA2154MFV 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA2154MFV |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-1L1A, VESM, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | 2SA2154MFV |
2SA2154MFV
2005-07-14
3
PC - Ta
0
50
100
150
200
250
0
50
100
150
200
IC - VCE
-0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
0
IB = -0.1mA
-0.2
-0.3
-0.5
-0.7
-1.0
-1.5
-2.0
hFE - IC
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-25
25
Ta = 100°C
VCE(sat) - IC
-0.01
-0.1
-1
-0.1
-1
-10
-100
Ta = 100°C
-25
25
VBE(sat) - IC
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
IB - VBE
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
B
A
S
E
CURRE
NT
IB
(
uA
)
Ta = 100°C
-25
25
0
CO
LL
E
CTO
R
CURRE
NT
IC
(mA
)
DC
CURRE
NT
G
A
IN
h
F
E
CO
LL
E
C
T
O
R-E
M
IT
T
E
R
S
A
T
URA
T
IO
N
VO
LT
AG
E
VC
E
(s
at)
(
V
)
B
ASE-
EM
IT
T
E
R
SAT
U
R
A
T
IO
N
VO
LT
AG
E
VB
E
(sa
t)
(V
)
CO
LL
E
CT
O
R
P
O
W
E
R
DI
S
IP
A
T
IO
N
P
C
(mV
)
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
COMMON EMITTER
VCE =
6V
VCE =
1V
COMMON EMITTER Ta = 25°C
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
VCE =
6V
Ta = 100°C
25
-25
Mounted on FR4 board
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2174G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2179 | 13 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2183 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2190 | 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2195 | 1700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2154MFV-GR | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2154MFV-GR(TPL3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2154MFV-GR(TPL3) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin VESM T/R 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP VESM |
| 2SA2154MFV-Y | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2154MFV-Y(TPL3) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。