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参数资料
| 型号： | 2SJ351 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ351 |
2SJ351, 2SJ352
2
Outline
D
G
S
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SJ351
V
DSX
–180
V
2SJ352
–200
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
–8
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
–8
A
Channel dissipation
Pch*
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ352 | |
| 2SJ387(L) | |
| 2SJ387(S) | |
| 2SJ479(L) | |
| 2SJ479(S) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ351(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ351-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ352 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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