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参数资料
| 型号： | 2SJ351 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ351 |
2SJ351, 2SJ352
3
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source
2SJ351
V
(BR)DSX
–180
—
V
I
D = –10 mA, VGS = 10 V
breakdown voltage
2SJ352
–200
—
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
V
I
G = ±100 A, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
–0.15
—
–1.45
V
I
D = –100 mA, VDS = –10 V
Drain to source saturation
voltage
V
DS(sat)
—
–12
V
I
D = –8 A, VGD = 0*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|
0.7
1.0
1.4
S
I
D = –3 A, VDS = –10 V*
1
Input capacitance
Ciss
—
800
—
pF
V
GS = 5 V, VDS = –10 V,
Output capacitance
Coss
—
1000
—
pF
f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
Crss
—
18
—
pF
Turn-on time
t
on
—
320
—
ns
V
DD = –30 V, ID = –4 A
Turn-off time
t
off
—
120
—
ns
Note:
1. Pulse test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ352 | |
| 2SJ387(L) | |
| 2SJ387(S) | |
| 2SJ479(L) | |
| 2SJ479(S) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ351(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ351-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ352 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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