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参数资料
| 型号： | 2SJ351 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ351 |
2SJ351, 2SJ352
7
Package Dimensions
φ3.2
± 0.2
4.8
± 0.2
1.5
0.3
2.8
0.6
± 0.2
1.0
± 0.2
18.0
±0.5
19.9
±0.2
15.6
± 0.3
0.5
1.0
5.0
±0.3
1.6
1.4 Max
2.0
14.9
±0.2
3.6
0.9
1.0
5.45
± 0.5
5.45
± 0.5
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
TO-3P
—
Conforms
5.0 g
As of January, 2001
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ352 | |
| 2SJ387(L) | |
| 2SJ387(S) | |
| 2SJ479(L) | |
| 2SJ479(S) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ351(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ351-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ352 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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