- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录155765 > 2SJ351 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SJ351 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ351 |
2SJ351, 2SJ352
5
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
0
VDS = –10 V
T
C
=
–25°C
25
75
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
0
VDS = –10 V
T C
=
–25°C 25
75
10 k
100 k
1 M
1 m
10 m
100 m
1.0
5
Frequency f (Hz)
Forward
Transfer
Admittance
yfs
(S)
2 k
TC = 25°C
VDS = –10 V
ID = –2 A
Forward Transfer Admittance vs. Frequency
10 M 20 M
0.5 m
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
10
50
100
200
500
Drain Current ID (A)
Switching
Time
t
on
,t
off
(ns)
Switching Time vs. Drain Current
–0.1
ton
5
–10
20
toff
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ352 | |
| 2SJ387(L) | |
| 2SJ387(S) | |
| 2SJ479(L) | |
| 2SJ479(S) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ351(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ351-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ352 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SJ352-E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。