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参数资料
| 型号： | 2SK3076(L) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.9 ohm, POWER, FET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SK3076(L) |
2SK3076(L),2SK3076(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-656 (Z)
1st. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current.
Built-in fast recovery diode (trr=120 ns)
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3082(S) | 0.15 ohm, POWER, FET |
| 2SK3082(S) | 0.15 ohm, POWER, FET |
| 2SK3082L-E | 10 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3116-ZJ | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 2SK3116-S | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3076S | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3077 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 2SK3077_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL MOS TYPE 900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM) |
| 2SK3077A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Band Amplifier Applications |
| 2SK3078 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM) |
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