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参数资料
| 型号： | 2SK3076(L) |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 0.9 ohm, POWER, FET |
| 封装： | LDPAK-3 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SK3076(L) |
2SK3076(L),2SK3076(S)
6
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V
= 0, –10 V
GS
10 V
15 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 2.08 °C/W, Tc = 25 °C
q
g
q
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermao
Impedance
s
(t)
g
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SK3116-ZJ | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 2SK3116-S | 7.5 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3076S | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3077 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 2SK3077_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL MOS TYPE 900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM) |
| 2SK3077A | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Band Amplifier Applications |
| 2SK3078 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM) |
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