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参数资料
| 型号： | 2SK3407 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV) |
| 中文描述： | 东芝场效应晶体管硅?频道马鞍山类型（喝醉MOSV） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | 2SK3407 |
2SK3407
2002-08-12
3
I
D
– V
DS
I
D
– V
DS
I
D
– V
GS
V
DS
– V
GS
R
DS (ON)
– I
D
Y
fs
– I
D
1
10
100
5
1
0.1
Common source
Tc 25°C
Pulse test
VGS 10, 15 V
0
2
4
8
10
0
ID 10 A
4
8
12
20
2.5
5
Common source
Tc 25°C
Pulse test
16
6
F
f
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
Drain current I
D
(A)
Drain current I
D
(A)
D
R
D
D
D
8
0
0
2
4
6
10
2
4
8
6
10
VGS 4.5 V
6
10
15
Common source
Tc 25°C
Pulse test
5.25
5
5.5
5.75
0
20
4
8
12
16
0
8
6
2
4
10
Common source
VDS 20 V
Pulse test
Tc 55°C
25
100
0.1
1
10
100
30
10
1
Common source
VDS 20 V
Pulse test
25
100
Tc 55°C
0.3
3
0.1
0.3
3
30
20
16
12
8
4
0
0
10
20
30
40
50
VGS 4.5 V
Common source
Tc 25°C
Pulse test
5.5
6
15
10
6.5
6.75
6.25
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PDF描述 |
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参数描述 |
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