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参数资料
| 型号： | 2SK3481-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3481
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
50
40
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
30
60
20
40
20
10
0
20
40
60
80
100
120 140
160
0
0
20
40
60
80
100 120 140
160
T C - Case Temperature - ?C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ? C
100
10
1
I D(DC)
T C = 25 ? C
I D(pulse)
Single Pulse
0.1
0.1 1
10
100
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
T C = 25?C
R th(ch-A) = 83.3?C/W
R th(ch-C) = 2.23?C/W
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
Single Pulse
100 1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D15063EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3482-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3481-S | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3481-S12-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3481-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3481-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD |
| 2SK3481-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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