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参数资料
| 型号： | 2SK3481-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3481
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
10
Pulsed
80
60
1
T A = ? 40?C
25 ? C
40
V GS = 10 V
4.5 V
75 ? C
150 ? C
0.1
20
0.01
1
2
3
4
V DS = 10 V
5
0
0
1
2
3
4
5
Pulsed
6
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100 V DS = 10 V
Pulsed
10
T A = 150?C
80
60
I D = 30 A
Pulsed
1
0.1
75 ? C
25 ? C
? 40 ? C
40
20
15 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0 0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
80
60
Pulsed
4
3
V DS = 10 V
I D = 1 mA
V GS = 4.5 V
40
20
10 V
2
1
0
0.1
1
10
100
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D15063EJ1V0DS
T ch - Channel Temperature - ? C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3482-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3481-S | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK3481-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK3481-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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