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参数资料
| 型号： | 2SK3481-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3481
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
120
Pulsed
100
Pulsed
100
10
80
60
V GS = 4.5 V
10 V
1
V GS = 10 V
0V
40
0.1
20
I D = 15 A
0
? 50
0
50
100
150
0.01
0
0.5
1.0
1.5
10000
T ch - Channel Temperature - ? C
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C iss
1000
V SD - Source to Drain Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
1000
100
t d(off)
C oss
t d(on)
100
C rss
10
t r
t f
10
R G = 0 ?
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.01 0.1
1
10
100
V DD = 50 V
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
100
10
V GS = 0 V
100
80
60
V DD = 80 V
50 V
20 V
V GS
8
6
10
40
20
V DS
4
2
1
0
I D = 30 A
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
I F - Drain Current - A
Data Sheet D15063EJ1V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK3481-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK3481-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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