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参数资料
| 型号： | 2SK3481-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
2SK3481
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB (MP-25)
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
10.6 MAX.
φ 3.6±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3±0.2
10.0 TYP.
4
4
1 2 3
1.3±0.2
1
2
3
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
2.8±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
4) TO-220SMD (MP-25Z)
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
Note
10 TYP.
4.8 MAX.
10 TYP.
4.8 MAX.
4
1.3±0.2
4
1.3±0.2
1
2
3
1
2
3
P.
TY
0.8
P.
.5R TY
R
2.54 TYP. 0
1.4±0.2
0.7±0.2
2.54 TYP.
0.5
2.54 TYP.
R
TY
R
P
.
0.5±0.2
1.4±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
0
TY
.8
P.
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan .
EQUIVALENT CIRCUIT
Gate
Gate
Protection
Diode
Drain
Source
Body
Diode
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
Data Sheet D15063EJ1V0DS
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK3481-S | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK3481-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3481-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD |
| 2SK3481-ZJ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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