参数资料
型号: 2SK3481-AZ
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
标准包装: 200
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 50 毫欧 @ 15A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 散装
2SK3481
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
1000
100
160
140
120
100
V DD = 50 V
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 26 A
10
I AS = 26 A
E A
S =
68
mJ
80
60
40
V DD = 50 V
V GS = 20 → 0 V
R G = 25 ?
1 Starting T ch = 25 ? C
0.001 0.01
0.1
1
10
20
0
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - mH
Data Sheet D15063EJ1V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ? C
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