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参数资料
| 型号： | 2SK3482-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251（MP-3） |
| 包装： | 散装 |
2SK3482
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF
SAFE OPERATING AREA
FORWARD
BIAS
60
50
40
30
20
10
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
ite 0 V)
R D at V
10
m
10 s
s
100
10
(
d
=
on ) Lim 1
S( GS
I D(DC) = 36 A
DC
I D(pulse) = 100 A
0
1
m
PW
μ s
=
10
μ s
Lim we
i n
1
Po
ite d r Di
s
sip
at
o
T C = 25?C
Single Pulse
0.1
0.1 1 10 100
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
R th(ch-A) = 125 ?C /W
Channel to Ambient
10
R th(ch-C) = 2.5 ?C /W
1
Channel to Case
0.1
Single Pulse
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m 100 m 1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D15064EJ3V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3483-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3482-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3482-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 36A 33m@10V TO252 Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| 2SK3482-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| 2SK3482-Z-E2-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3483 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor |
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