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参数资料
| 型号： | 2SK3482-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251（MP-3） |
| 包装： | 散装 |
2SK3482
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
80
10000
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 4.5 V
10 V
Pulsed
1000
100
10
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V
f = 1 MHz
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
100
10
t f
V DD = 50 V
V G S = 10 V
R G = 0 Ω
90
80
I D = 36 A
V DD = 80 V
50 V
20 V
V GS
8
100
t d(off)
70
60
6
50
td(on)
40
4
10
t r
30
20
10
V DS
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs. DRAIN CURRENT
100
10
V GS = 10 V
0V
1000
100
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
1
10
0.1
Pulsed
0.01
1
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
1
10
100
V SD - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D15064EJ3V0DS
I F - Drain Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3483-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3482-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3482-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 36A 33m@10V TO252 Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| 2SK3482-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| 2SK3482-Z-E2-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3483 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor |
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