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参数资料
| 型号： | 2SK3482-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251（MP-3） |
| 包装： | 散装 |
2SK3482
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3)
6.5 ±0.2
2.3 ±0.2
<R> 2) TO-252 (MP-3Z)
5 .0 ±0. 2
0.5 ±0.1
6.5 ±0.2
4
5.0 ±0.2
2.3 ±0.2
1
2
3
4.4 ±0.2
4
Note
0.5 ±0.1
Note
1.1 ±0.2
1 2 3
0.5 ±0.1
2 .3 2 .3
0.5
+0.2
? 0.1
0.5
+0.2
? 0.1
2.3 ±0.3
2.3 ±0.3
0.5 ±0.1
0.15 ±0.15
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Note The depth of notch at the top of the fin is from
0 to 0.2 mm.
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Gate
Protection
Diode
Source
Diode
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
Data Sheet D15064EJ3V0DS
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3482-Z | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3482-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 36A 33m@10V TO252 Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| 2SK3482-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| 2SK3482-Z-E2-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3483 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor |
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