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参数资料
| 型号： | 2SK3811-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 17700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3811-ZP-E1-AYDKR |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3811
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
ORDERING INFORMATION
The 2SK3811 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.
FEATURES
? Super low on-state resistance
R DS(on) = 1.8 m ? MAX. (V GS = 10 V, I D = 55 A)
? High Current Rating: I D(DC) = ±110 A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
PART NUMBER
2SK3811-ZP
PACKAGE
TO-263 (MP-25ZP)
(TO-263)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T C = 25°C)
V DSS
V GSS
I D(DC)
40
±20
±110
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
±440
A
Total Power Dissipation (T C = 25°C)
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
213
1.5
150
? 55 to +150
W
W
°C
°C
Single Avalanche Energy
Note2
E AS
518
mJ
Repetitive Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Note3
Note3
I AR
E AR
72
518
A
mJ
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2. Starting T ch = 25°C, V DD = 20 V, R G = 25 ? , V GS = 20 → 0 V, L = 100 μ H
3. R G = 25 ? , T ch(peak) ≤ 150°C
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Document No. D16737EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 2004 NS CP(K)
Printed in Japan
2004
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PDF描述 |
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