参数资料
型号: 2SK3811-ZP-E1-AY
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.8 毫欧 @ 55A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 17700pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 标准包装
其它名称: 2SK3811-ZP-E1-AYDKR
2SK3811
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
MIN.
2.0
TYP.
3.0
MAX.
10
± 100
4.0
UNIT
μ A
nA
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 10 V, I D = 55 A
45
89
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V, I D = 55 A
V DS = 10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 55 A
V GS = 10 V
R G = 0 ?
1.4
17700
2200
1300
54
140
130
1.8
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
21
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = 32 V
V GS = 10 V
I D = 110 A
260
57
83
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 110 A, V GS = 0 V
I F = 110 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.87
60
80
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D16737EJ1V0DS
相关PDF资料
PDF描述
2SK3812-ZP-E1-AY MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
2SK3813-AZ MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
2SK3814-AZ MOSFET N-CH 60V MP-3/TO-251
2SK3943-ZP-E1-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
2SK3984-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 100V 18A TO-252
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3812-ZP-A E2 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3812-ZP-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3812-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3812-ZP-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3813-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件