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参数资料
| 型号： | 2SK3811-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 17700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3811-ZP-E1-AYDKR |
2SK3811
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
250
200
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
150
60
100
40
20
0
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
1000
100
10
I D(DC)
R DS(on) Limited
(at V GS = 10 V)
I D(pulse)
PW = 100 μ s
1 ms
Power Dissipation Limited
10 ms
1
T C = 25°C
Single pulse
0.1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
R th(ch-A) = 83.3°C/W
10
1
R th(ch-C) = 0.587°C/W
0.1
0.01
Single pulse
0.001
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D16737EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SK3812-ZP-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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