参数资料
型号: 2SK3811-ZP-E1-AY
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.8 毫欧 @ 55A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 17700pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 标准包装
其它名称: 2SK3811-ZP-E1-AYDKR
2SK3811
1000
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 20 V
100
10
I AS = 72 A
V DD = 20 V
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
E AS = 518 mJ
80
60
40
20
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
I AS ≤ 72 A
Starting T ch = 25°C
1
0
10 μ
100 μ
1m
10 m
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - H
Data Sheet D16737EJ1V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
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PDF描述
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2SK3813-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件