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参数资料
| 型号： | 2SK3811-ZP-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 17700pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SK3811-ZP-E1-AYDKR |
2SK3811
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
400
300
200
V GS = 10 V
Pulsed
100
10
1
V DS = 10 V
Pulsed
T A = 150°C
75°C
25°C
? 55°C
0.1
100
0
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
2
3
4
5
6
4.0
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V DS = 10 V
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
3.5
3.0
2.5
I D = 1 mA
100
T A = 150°C
75°C
25°C
? 55°C
2.0
1.5
1.0
10
1
V DS = 10 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2.4
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
6
2.0
V GS = 10 V
Pulsed
5
I D = 110 A
55 A
Pulsed
22 A
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
3
2
1
0
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16737EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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