参数资料
型号: 2ST1480FP
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
文件页数: 2/7页
文件大小: 134K
代理商: 2ST1480FP
Absolute maximum ratings
2ST1480FP
2/7
Doc ID 16856 Rev 1
1
Absolute maximum ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
80
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
80
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
5
A
ICM
Collector peak current
10
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tc ≤ 25 °C
25
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case ___ _Max
5
°C/W
相关PDF资料
PDF描述
2ST2121 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2STA1943 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5200 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5948 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STF1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2ST2121 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2ST31A 功能描述:两极晶体管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2ST501T 功能描述:达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2ST5949 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2ST5949_0807 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor