参数资料
型号: 2ST1480FP
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
文件页数: 5/7页
文件大小: 134K
代理商: 2ST1480FP
2ST1480FP
Package mechanical data
Doc ID 16856 Rev 1
5/7
Figure 2.
TO-220FP drawing
Table 5.
TO-220FP mechanical data
Dim.
mm
Min.
Typ.
Max.
A4.4
4.6
B2.5
2.7
D
2.5
2.75
E
0.45
0.7
F0.75
1
F1
1.15
1.70
F2
1.15
1.70
G
4.95
5.2
G1
2.4
2.7
H10
10.4
L2
16
L3
28.6
30.6
L4
9.8
10.6
L5
2.9
3.6
L6
15.9
16.4
L7
9
9.3
Dia
3
3.2
7012510_Rev_K
A
B
H
Dia
L7
D
E
L6
L5
L2
L3
L4
F1
F2
F
G
G1
相关PDF资料
PDF描述
2ST2121 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2STA1943 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5200 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5948 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STF1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2ST2121 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2ST31A 功能描述:两极晶体管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2ST501T 功能描述:达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2ST5949 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2ST5949_0807 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor