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参数资料
| 型号： | 2ST1480FP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2ST1480FP |
Package mechanical data
2ST1480FP
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Doc ID 16856 Rev 1
3
Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of
ECOPACK packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK
specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com.
ECOPACK is an ST trademark.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2ST2121 | 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2STA1943 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5200 | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2ST2121 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST31A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST501T | 功能描述:达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2ST5949 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2ST5949_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
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