收藏本站
参数资料
型号： A3PN250-Z1VQG100I
厂商： Microsemi SoC
文件页数： 26/114页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
标准包装： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位总计： 36864
输入/输出数： 68
门数： 250000
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-TQFP
供应商设备封装： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-5
Thermal Characteristics
Introduction
The temperature variable in the Designer software refers to the junction temperature, not the ambient
temperature. This is an important distinction because dynamic and static power consumption cause the
chip junction to be higher than the ambient temperature.
EQ 1 can be used to calculate junction temperature.
TJ = Junction Temperature = T + TA
EQ 1
where:
TA = Ambient Temperature
T = Temperature gradient between junction (silicon) and ambient T = ja * P
ja = Junction-to-ambient of the package. ja numbers are located in Table 2-5.
P = Power dissipation
Package Thermal Characteristics
The device junction-to-case thermal resistivity is
jc and the junction-to-ambient air thermal resistivity is
ja. The thermal characteristics for ja are shown for two air flow rates. The absolute maximum junction
temperature is 100°C. EQ 2 shows a sample calculation of the absolute maximum power dissipation
allowed for a 484-pin FBGA package at commercial temperature and in still air.
EQ 2
Temperature and Voltage Derating Factors
Maximum Power Allowed
Max. junction temp. (
C) Max. ambient temp. (C)
–
ja(C/W)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
100
C70C
–
20.5
C/W
-------------------------------------
1.463 W
=
Table 2-5 Package Thermal Resistivities
Package Type
Device
Pin Count
jc
ja
Units
Still Air 200 ft./min.
500 ft./min.
Quad Flat No Lead (QFN)
All devices
48
TBD
C/W
68
TBD
C/W
100
TBD
C/W
Very Thin Quad Flat Pack (VQFP)
All devices
100
10.0
35.3
29.4
27.1
C/W
Table 2-6 Temperature and Voltage Derating Factors for Timing Delays
(normalized to TJ = 70°C, VCC = 1.425 V)
Array Voltage VCC (V)
Junction Temperature (°C)
–40°C
–20°C
0°C
25°C
70°C
85°C
100°C
1.425
0.968
0.973
0.979
0.991
1.000
1.006
1.013
1.500
0.888
0.894
0.899
0.910
0.919
0.924
0.930
1.575
0.836
0.841
0.845
0.856
0.864
0.870
0.875
相关PDF资料
PDF描述
HMM43DRYS CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
HSM36DRAS CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD
HMM36DRAS CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD
HMC35DRYS-S93 CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD
HBC65DRYS-S93 CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
A3PN250-Z2VQ100 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
A3PN250-Z2VQ100I 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
A3PN250-Z2VQG100 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
A3PN250-Z2VQG100I 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
A3PN250-ZVQ100 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*