参数资料
型号: A3PN250-Z1VQG100I
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 34/114页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
标准包装: 90
系列: ProASIC3 nano
RAM 位总计: 36864
输入/输出数: 68
门数: 250000
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-TQFP
供应商设备封装: 100-VQFP(14x14)
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-12
Revision 11
User I/O Characteristics
Timing Model
Figure 2-2 Timing Model
Operating Conditions: –2 Speed, Commercial Temperature Range (TJ = 70°C), Worst Case
VCC = 1.425 V, with Default Loading at 10 pF
DQ
Y
DQ
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
Register Cell
I/O Module
(Registered)
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 2.5V Output Drive
Strength = 8 mA High Slew Rate
Input LVCMOS 2.5 V
LVCMOS 1.5 V
LVTTL 3.3 V Output drive
strength = 8 mA High slew rate
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
Y
Combinational Cell
I/O Module
(Non-Registered)
LVTTLOutput drive strength = 8 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
LVCMOS 1.5 VOutput drive strength = 2 mA
High slew rate
LVTTLOutput drive strength = 4 mA
High slew rate
I/O Module
(Non-Registered)
Input LVTTL
Clock
Input LVTTL
Clock
Input LVTTL
Clock
tPD = 0.56 ns
tPD = 0.49 ns
tDP = 2.25 ns
tPD = 0.87 ns
tDP = 2.87 ns
tPD = 0.51 ns
tDP = 2.21 ns
tPD = 0.47 ns
tDP = 3.02 ns
tPD = 0.47 ns
tPY = 0.84 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tOCLKQ = 0.59 ns
tSUD = 0.43 ns
tOSUD = 0.31 ns
tDP = 2.21 ns
tPY = 0.84 ns
tPY = 1.14 ns
tCLKQ = 0.55 ns
tSUD = 0.43 ns
tPY = 0.84 ns
tICLKQ = 0.24 ns
tISUD = 0.26 ns
tPY = 1.04 ns
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A3PN250-Z2VQ100I 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA,CSBGA 供应商设备封装:289-CSP(14x14)
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